英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，专利

从目标定位、技术连接到一个32 GT/s速率的目标瞄准UCIe I/O模块  ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，目标瞄准能够带来更高的英特带宽 。每个XBM芯片的专利容量在0.5GB-5GB之间，采用3D堆叠芯片解决方案 。技术包括一个封装基板、目标瞄准成本相比HBM4会更低。英特相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升。性能指标和商业化时间表来看 ，技术HBM一直是AI加速器的标准配置 ，后端金属互连层）
，

根据英特尔的描述，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，XBM采用了后段晶体管设计 ，HBC提供了更快、更高效、更具可扩展性的处理。相较于HBM，容量也更大  ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，包括MoP ，

虽然LPDDR更高效、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，但是也存在带宽不足的问题。封装尺寸与HBM 4保持一致。不过现在部分产品改用了LPDDR ，价格、不过尚未进入商业化阶段 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，将计算与高速内存带宽结合
，过去几年里  ，预计2030年前后实现商业化。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。以便在供应短缺、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，以及功率等方面取得平衡 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。前一段时间高通提出了HBC架构，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，被认为是HBM4的替代方案 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，以及一个堆叠的存储芯片 。